Transphorm Half-bridge Synchronous Buck or Boost Evaluation Platform
" (427377)用于评估Transphorm的PQFN88和PQFN56封装器件的子卡，采用TO-220插槽
本资料介绍了Transphorm公司（TPH）的TPHDC001 PQFN子卡及其用途。TPHDC001可作为通用载体，用于安装和评估TPH PQFN 8x8和PQFN 5x6 GaN器件。该子卡便于工程师在现有的TO-220 Si应用设计中检验TPH GaN PQFN器件的性能。资料详细描述了电路参数、PCB布局、器件着陆图案以及TPHDC001的BOM清单。此外，还提供了TPH PQFN器件的典型Rdson值和封装类型，以及如何使用TPHDC001进行高电流应用测试的说明。
用于评估Transphorm的PQFN88和PQFN56封装器件的子卡，采用TO-220插槽应用笔记
本资料介绍了Transphorm公司（TPH）的TPHDC001 PQFN子卡及其用途。TPHDC001子卡可作为通用载体，用于安装和评估TPH PQFN 8x8和PQFN 5x6 GaN器件，以快速观察TPH GaN技术在不同基于硅的拓扑结构或应用中的性能。资料详细描述了TPHDC001子卡的设计，包括电路参数、PCB布局和PCB规格，以及如何使用该子卡进行GaN器件的评估。
TDHBG2500P100-KIT 2.5kW Half-bridge Synchronous Buck or Boost Evaluation Platform schematic
TDHBG1200DC100-KIT 1.2 kW半桥同步降压或升压评估平台原理图
该资料提供了一种Buck In / Boost Out电源转换电路的设计方案，包括电路元件的布局和参数配置。电路包含多个电容、电阻、二极管和集成电路，如U1、U4、U5等。设计强调了电源和模拟地平面的单点连接，以确保电路的稳定性和效率。
TDHBG2500P100：2.5kW半桥评估板用户指南
TDHBG2500P100半桥评估板提供了一种简单的降压或升压转换器，用于研究使用Transphorm的650V GaN FET的开关特性和效率。该板支持同步整流，可配置为单逻辑输入或高/低输入。输入/输出电压可达400Vdc，功率输出可达2.5kW。板载电感器适用于100kHz高效运行，但也可使用其他电感和频率。该板仅用于评估目的。资料详细介绍了电路描述、使用方法、配置、操作模式、死区时间控制、设计细节和效率测量。
TDHB-65H070L-DC半桥子卡功率级原理图
资料内容为电子元器件行业相关文件，具体为Eagle Transphorm Projects中的一个项目文件，名为TDHB-65H070L-DC_0v1，包含电路图（Sheet: 1/1）。文件日期为2019年4月2日，由用户在C:\Eagle_TransphormProjects\eval_TDHB-65H070L\TDHB-65H070L-DC_0v1\TDBH-65H070L-DC_0v1.sch路径下创建。
TDHBG1200DC100 1.2 kW半桥评估板用户指南
TDHBG1200DC100半桥评估板介绍：该评估板用于研究650V GaN FET在标准8x8 PQFN封装中的开关特性和效率。板载元件包括TP65H070LDG和TP65H070LSG GaN FET，支持升压和降压模式，最高输出功率1.2kW。板载跳线允许使用单个逻辑输入或高/低输入。板可配置为同步整流，并支持高达400Vdc的高压输入/输出。
TDTTP4000W066C 4kW数字无桥图腾柱PFC评估板用户指南
本指南介绍了TDTTP4000W066C 4kW无桥式宝塔形功率因数校正（PFC）评估板。该板采用Transphorm的Gen IV（SUPERGaNTM）GaN FET桥，实现高效率的单相AC-DC转换。使用GaN FET在电路的快速切换腿和低电阻MOSFET在慢速切换腿上，提高了性能和效率。评估板旨在验证Transphorm的SuperGaN FET技术，并用于演示目的。
TDTTP4000W065AN_0V1 4kW模拟无桥评估板用户指南
本指南介绍了TDTTP4000W065AN_0V1 4kW模拟桥式无桥塔形功率因数校正（PFC）评估板。该板采用Transphorm GaN FETs和低电阻MOSFETs，实现高效率的单相AC-DC转换。板载电路描述了桥式无桥塔形PFC的设计，包括输入/输出规格、电路描述、设计细节和操作指南。评估板旨在验证GaN FET技术，并用于演示目的。
Bidirectional PolyPhase® Synchronous Buck or Boost Controller
用于气相回流焊的PQFN88和PQFN56无铅二级焊接建议应用笔记
本资料主要针对Transphorm的PQFN（无铅功率四列扁平封装）封装的元器件进行焊接工艺指导。内容包括PCB设计、焊盘表面处理、焊膏印刷、回流焊接等关键步骤。资料详细介绍了不同封装类型（如LS、LD、LSG、LDG、JSG）的PCB焊盘尺寸、焊膏印刷模板设计、回流焊接参数等，并提供了相应的示例图和参数表。此外，还强调了静电放电（ESD）和湿度敏感度等级（MSL）等注意事项。
DC-DC模块50V/40A的设计分析
本指南提供了关于设计方面的信息，包括设计原则、技术规范和实施建议。内容涵盖设计流程、组件选择、性能优化等方面，旨在帮助工程师进行高效的设计工作。指南由Transphorm Inc.于2018年发布，最后更新于2019年4月1日。
5x6mm、8x8mm PQFN卷带信息应用笔记
本资料详细介绍了不同型号PQFN封装的元器件的带卷信息，包括产品导向、载带尺寸、卷盘尺寸、包装尺寸、包装信息、内部和外部运输箱信息等。资料涵盖了GEN III 8X8mm、GEN IV 8X8mm和GEN IV 5X6mm三种型号的元器件，提供了详细的尺寸和包装规格。
ISL78225EVAL1Z: 4-Phase Interleaved Synchronous Boost Converter
AS1331 300mA Buck-Boost同步DC/DC转换器评估套件说明应用说明
本资料介绍了AS1331评估套件，该套件包含一个300mA同步升压/降压DC/DC转换器。评估板支持1.8V至5.5V的输入电压，并可通过跳线EN启用芯片。输出电压可调，范围为2.5V至3.3V。资料详细描述了硬件设计、电路图、层叠和物料清单，并提供了订购信息。
PQFN氮化镓场效应晶体管并联PCB应用笔记
本文介绍了使用Transphorm的PQFN GaN FETs进行并联应用的设计要点。文章重点讨论了PQFN封装的特点，包括其高侧和低侧FET的并联配置，以及电路参数和PCB布局的重要性。此外，文章还详细说明了如何解决高dv/dt切换速度带来的电磁兼容性问题，并提供了硬开关测试和效率测量的结果。最后，文章通过计算和图表展示了开关损耗的分解和效率曲线。
ISL85403 2.5A Regulator with Integrated High-side MOSFET for Synchronous Buck or Boost Buck Converter
ISL78200 2.5A Regulator with Integrated High-Side MOSFET for Synchronous Buck or Boost Buck Converter
MAX25601A/MAX25601B/MAX25601C/MAX25601D Synchronous Boost and Synchronous Buck LED Controllers
Synchroflex®II同步分接管座，加长，带内部冷却液
本资料介绍了SynchroFlex® II同步进给攻丝夹具，包括其标准长度和特殊长度扩展版本，以及它们的特点和优势。资料详细说明了攻丝夹具的同步进给特性、轴向补偿、冷却系统等，并提供了订购信息和附件选项。
2.5A Regulator with Integrated High-side MOSFET for Synchronous Buck or Boost Buck Converter
ICS840272I Synchronous Ethernet Frequency Translator
HG82C51 UNIVERSAL SYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS RECEIVER TRANSMITTER
HG85C51 UNIVERSAL SYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS RECEIVER TRANSMITTER
HIP5010, HIP5011 7V, 17A SynchroFET™ Complementary Drive Synchronous Half-Bridge
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SBC-BUCKBOOST01降压升压变压器
本资料介绍了一款名为SBC-BuckBoost01的Buck-Boost电压转换模块。该模块具备升压和降压功能，可通过电位器独立设置电压，并显示在集成段显示器上。输入电压范围为5-25V，输出电压范围为0.5-25V，最大电流为2A。资料详细说明了设备的使用方法、功能设置以及显示模式切换，并提供了关于产品回收、支持联系方式的额外信息。
TDTTP2500B066B_0V1：2.5kW无桥图腾柱PFC评估板
本指南介绍了TDTTP2500B066B 2.5kW无桥式 Totem-pole 功率因数校正（PFC）评估板。该评估板采用Transphorm的GaN FET，实现高效率的单相AC-DC转换。板载TP65H050G4BS GaN FET桥和低电阻MOSFET，优化性能和效率。评估板适用于演示GaN FET技术，并提供了详细的电路描述、输入/输出规格和设计文件。
TDTTP4000W065AN_0V1：4kW模拟无桥图腾柱PFC评估板用户指南
本指南介绍了TDTTP4000W065AN_0V1 4kW模拟桥式无桥塔形功率因数校正（PFC）评估板。该板采用Transphorm的GaN FET，实现高效率的单相AC-DC转换。电路设计采用桥式塔形拓扑，使用GaN FET和低电阻MOSFET，提高了性能和效率。评估板适用于验证GaN FET技术，并提供了详细的设计文件和电路图。
同步降压升压控制器BD8303MUV EVK用户指南
本资料为ROHM公司BD8303MUV同步升压降压DC/DC控制器评估板（BD8303MUV-EVK-001）的用户指南。指南详细介绍了如何操作该评估板，包括组件选择、操作步骤和应用数据。该评估板使用BD8303MUV控制器IC，从4V至14V的输入电压输出12V，具有软启动、欠压锁定、过热保护和短路保护等功能。资料还提供了操作极限、电路图、BOM、PCB布局和参考应用数据。
FAN23SV56AMPX: 6 A Synchronous Buck Regulator
飞机开关模式电源中的650V氮化镓
航空电子供应商AES推出基于GaN的开关电源，提供至少10%的效率提升，应用于大型客机。PS250X和PS6120两款产品均符合DO-160标准，采用Transphorm的GaN FET，PS250X为被动冷却，PS6120为风扇冷却，效率分别超过92%和91.5%。
氮化镓FET产品组合
本资料主要介绍了GaN（氮化镓）功率器件的产品组合和应用优势。资料中列举了不同型号的GaN器件，包括其关键参数如Vds、Rds(on)eff、Id等，并展示了其封装类型和变体。此外，资料还强调了GaN在提高系统效率、减小尺寸和重量、降低系统成本等方面的优势，并介绍了Transphorm公司在GaN领域的领先地位和产品路线图。
TDTTP4000W065AN评估板常见问题解答
本资料主要介绍了Transphorm公司4kW TDTTP4000W065AN评估板的常见问题解答。该评估板采用无桥式宝塔形功率因数校正拓扑和模拟控制，使用Transphorm的SuperGaN™ Gen IV FETs，适用于需要功率因数校正（PFC）的各种应用。资料讨论了该板的主要应用、数字控制与模拟控制的优缺点、与传统模拟控制相比的优势以及性能水平。
Use in Transphorm GaN FETs evaluation boards
Our PSG series of conductive polymer aluminum solid capacitors are used in the reference designs of evaluation boards for 12V/1200W high-frequency LLC converters produced by Transphorm.
电脑游戏电源中的650 V氮化镓
CORSAIR公司于2018年初推出了AX1600i 1.6 kW电源供应器，采用Transphorm的高压GaN FETs，实现更高的效率和功率输出。与AX1500i相比，AX1600i在相同价格下提供更高的效率和功率，同时降低系统成本和封装尺寸，并保持相同的散热性能，提供10年保修。
650 V氮化镓广泛应用于工业电源系统
TDK-Lambda推出PFH500F-28 AC-DC电源模块，采用650V GaN技术，适用于恶劣环境下的工业电源系统。该模块采用无桥式升压拓扑，使用Transphorm的GaN FET，相比前代产品，提供5%效率提升、30%功率密度增加和38%热管理优化。
650 V氮化镓在电动滑板车电池充电
GaN（氮化镓）技术在电动汽车（BEV）充电领域的应用日益受到关注。在电动滑板车充电站GoStations®中，Transphorm的Gen III TH65H050WS FETs被用于优化GaN器件的性能，实现无缝充电和放电，提高功率密度。GaN技术相比硅材料，在AC到DC效率、热性能和系统成本方面具有显著优势。
用于数据中心电源的650 V氮化镓
Bel Power于2017年推出首款基于GaN的AC-DC电源TET3000，该产品针对数据中心，具有80 PLUS钛金效率和欧洲CE标志。TET3000采用Transphorm的Gen II TPH3205WSB FET，实现高功率密度和效率。Bel Power已扩展其GaN产品线，包括1.5kW、2kW和2.5kW不同功率输出的系统。TET3000在GaN技术上的优势包括更宽的DC输入电压范围、2-3%的PFC效率提升、5%的功率密度提升和50%的电感利用率改善。
高压氮化镓开关可靠性：基于现有JEDEC、AEC和ZVEI标准的FIT率和PPM可靠性计算
本文探讨了GaN（氮化镓）器件在高压关断状态下的可靠性，基于现有的JEDEC、AEC和ZVEI标准，计算了FIT率和PPM可靠性。文章详细介绍了Transphorm公司GaN产品的可靠性测试方法，包括高温反向偏置测试、加速寿命测试等，并分析了电压和温度加速因子对器件失效的影响。此外，文章还讨论了如何利用这些数据来补充资格测试结果，以确保产品满足商业和汽车应用中的可靠性要求。
Electronic Mall
Brand：JW JOULWATT
Category：Synchronous Buck-Boost Controller
Unit Price：
In Stock： 0
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Connectors & Structural Components
Assembly UnitModules & Accessories
Power Supplies & Power Modules
Electronic Materials
Instrumentation & Test Kit
Electrical Tools & Materials
Mechatronics
Processing & Customization
